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Japonesa Resonac desenvolve placas que podem produzir quatro vezes mais chips

A fabricante de materiais semicondutores Resonac Holdings tornou-se a primeira empresa no Japão a desenvolver um substrato de carbeto de…

Por
Otávio Braga,
Repórter de Ciência da saúde
Bio e blog
29/09/2026 05:32
4 min de leitura

A fabricante de materiais semicondutores Resonac Holdings tornou-se a primeira empresa no Japão a desenvolver um substrato de carbeto de silício (SiC) de 300 mm, um produto capaz de produzir quatro vezes mais circuitos integrados em comparação com os substratos atuais.

A Resonac processou com sucesso um substrato monocristalino de SiC de 300 milímetros — ou 12 polegadas —, que pode produzir quatro vezes mais chips do que os substratos de 150 mm atualmente em uso. Se os substratos maiores se tornarem padrão, poderão melhorar a eficiência energética dos semicondutores de potência e reduzir significativamente os custos de produção em massa.

“Manter uma espessura uniforme nesse tamanho não é fácil”, disse na segunda-feira um representante de uma fabricante chinesa de equipamentos semicondutores, após visitar o estande da Resonac na ICSCRM 2026, uma importante conferência internacional sobre SiC realizada em Yokohama.

Os substratos são placas cristalinas que servem de base para a produção de semicondutores. Eles formam o núcleo dos wafers epitaxiais de SiC para fabricantes de semicondutores de potência. A Resonac produz principalmente substratos de 150 mm e os fornece para fabricantes de autopeças, bem como para indústrias de dispositivos semicondutores, como a Rohm, que produz wafers internamente. A Resonac detém a maior participação mundial em vendas externas, superando a Wolfspeed, sediada nos Estados Unidos.

A crescente demanda global por data centers está impulsionando as expectativas para os wafers de SiC, que oferecem melhor eficiência energética e menor perda de energia relacionada ao calor em comparação com os wafers de silício convencionais. O mercado global de wafers de semicondutores de potência deverá triplicar até 2035 em relação aos níveis de 2025, de acordo com a empresa de pesquisa Fuji Keizai, com os wafers de SiC representando pouco menos de 70% do mercado.

O desafio é aumentar o diâmetro dos wafers. Embora os wafers de 300 mm representem 70% do mercado de wafers de silício em área e sejam comuns na fabricação de semicondutores, os substratos de SiC desse tamanho ainda não foram comercializados.

Um dos motivos é que as temperaturas ultrapassam 2 mil graus Celsius durante o processo de crescimento cristalino essencial para a produção de wafers epitaxiais de SiC, tornando o material propenso a defeitos. Os lingotes usados para fabricar wafers epitaxiais também são extremamente duros, exigindo tecnologia avançada para cortá-los e poli-los, tornando-os uniformes e planos.

A Resonac foi formada em janeiro de 2023 por meio da integração da Showa Denko e da Showa Denko Materials, anteriormente Hitachi Chemical. A Showa Denko entrou no mercado de wafers epitaxiais de SiC em 2009 e aumentou gradualmente o diâmetro dos wafers a partir de 76,2 mm, ou três polegadas.

“Com o desenvolvimento e a produção em massa de substratos de SiC convencionais, acumulamos a experiência necessária para o processamento de diâmetros maiores”, disse Hiromasa Suo, da unidade de soluções para dispositivos da Resonac, que desenvolve tecnologia de materiais semicondutores. “Isso inclui o controle preciso da temperatura durante a recristalização e técnicas para suprimir a tensão [que pode causar deformação ou rachaduras nos substratos].”

Empresas americanas e chinesas estão na vanguarda do desenvolvimento de substratos de SiC de 300 mm. A chinesa SICC desenvolveu o que afirmou ser o primeiro substrato de SiC desse tamanho na indústria, em novembro de 2024, enquanto a Wolfspeed conseguiu produzir um substrato monocristalino em janeiro deste ano.

Mas nenhuma empresa ainda iniciou a comercialização em larga escala. Os fabricantes de semicondutores de potência precisariam fazer investimentos substanciais em equipamentos, e a obtenção de benefícios em termos de custo exigiria um sistema de fornecimento capaz de produzir substratos em massa com poucos defeitos de forma consistente.

Por ora, a Resonac planeja fortalecer a capacidade de produção de substratos de 200 mm, que estão gradualmente substituindo os produtos de 150 mm, enquanto avalia as perspectivas para substratos de 300 mm com base na demanda dos clientes.

“As posições dos participantes no mercado de 300 mm ainda não foram definidas”, disse o executivo-chefe (CEO) da Resonac, Hidehito Takahashi. “Se os clientes precisarem deles e pudermos esperar uma vantagem de pioneirismo, consideraremos investir nisso.”

Semicondutores e materiais eletrônicos representaram mais de 90% do lucro operacional principal da Resonac, de 88,8 bilhões de ienes (US$ 564 milhões), no período de janeiro a junho de 2026. Os principais impulsionadores dos lucros da empresa são os materiais usados na etapa final da fabricação de semicondutores, incluindo materiais de encapsulamento e dissipação de calor.

Fonte: Valor Empresas